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西部数据、铠侠联合宣布了下一代3D NAND闪存的一些技术细节，这次堆叠到了218层。

新闪存包含四个平面(plane)，应用了先进的晶圆键合(wafer bonding)、横向收缩(lateral shrink)技术，并在横向收缩、纵向收缩方面取得平衡，存储密度比上代提升超过50％，达到了1Tb(128GB)。

值得一提的是，西数、铠侠开发了新的CBA技术，也就是将CMOS直接键合在阵列之上(CMOS directly Bonded to Array)，每个CMOS晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造，再键合到一起，从而大大提升存储密度、I/O速度。

是的没错，妥妥的长江存储晶栈Xtacing 3.0技术的既视感。